高度(100)取向的BST薄膜及其高介电调谐率

摘要：

用脉冲激光沉积法制备(Ba1-xSrx)TiO3 (x = 0.35,0.50简称BST35和BST50)介电薄膜.在650℃原位退火10 min,获得高度(100)取向柱状生长的晶粒.BST35薄膜的平均晶粒尺寸为50 nm,BST50薄膜的晶粒尺寸为150～200 nm.在室温和1 MHz条件下,BST35的最大εr和调谐率分别达到810 和76%,其介电调谐率高于国内外同类文献报道的数据;BST50的εr和调谐率最大分别达到875和63%.薄膜为(100)取向生长,因为薄膜沿平面c轴极化而产生应力,在电场作用下,而获得高介电调谐率.

关键词：无机非金属材料、钛酸锶钡薄膜、脉冲激光沉积、柱状晶粒、介电调谐特性、探测优值

所属期刊栏目：24

分类号：TB304 (工程材料学)

在线出版日期：2005-12-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：29-31,34