10.3969/j.issn.1001-2028.2005.11.017
Co掺杂对BST薄膜介电性能的影响
用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了掺Co的钛酸锶钡(BST)薄膜,研究了Co的掺杂量x(Co)对BST薄膜的晶相结构和电学性能的影响.结果表明:随着x(Co)的增加,BST薄膜的介电常数εr,介质损耗tgδ和漏电流密度JL均降低;当x(Co)为5%时,BST薄膜的εr、tgδ、JL、可调性和品质因子分别为:228.3、0.013、3.69×10-7 A/cm2、15.4%、12.03.
无机非金属材料、BST薄膜、Co掺杂、sol-gel法、介电性质、可调性
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TM384(电机)
国家重点基础研究发展计划973计划2002CB61330;上海市学科建设项目015NM038
2005-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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