10.3969/j.issn.1001-2028.2005.11.002
N+注入ZnO薄膜表面性质的变化
用直流反应磁控溅射法制备ZnO薄膜,将N+注入ZnO薄膜经快速热退火(RTA)后,通过XRD,AFM,UV-VIS-NIR分光光度计等比较了N+注入后ZnO薄膜的电阻率、导电类型、表面形貌和可见光透过率等的变化.经不同条件处理后的ZnO薄膜均具有相同的择优取向(002).经RTA后颗粒普遍增大;N+注入后经RTA颗粒增大明显,最大有1 μm.N+注入后,使ZnO膜的导电类型由原来的n型转变为弱p型.
无机非金属材料、直流反应磁控溅射、N+注入、p型掺杂
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TN304.2+1(半导体技术)
河南省科技厅科技攻关项目0424210016
2005-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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