N+注入ZnO薄膜表面性质的变化

摘要：

用直流反应磁控溅射法制备ZnO薄膜,将N+注入ZnO薄膜经快速热退火(RTA)后,通过XRD,AFM,UV-VIS-NIR分光光度计等比较了N+注入后ZnO薄膜的电阻率、导电类型、表面形貌和可见光透过率等的变化.经不同条件处理后的ZnO薄膜均具有相同的择优取向(002).经RTA后颗粒普遍增大;N+注入后经RTA颗粒增大明显,最大有1 μm.N+注入后,使ZnO膜的导电类型由原来的n型转变为弱p型.

关键词：无机非金属材料、直流反应磁控溅射、N+注入、p型掺杂

所属期刊栏目：24

分类号：TN304.2+1(半导体技术)

资助基金：河南省科技厅科技攻关项目0424210016

在线出版日期：2005-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：5-7