SiC薄膜的制备及其对气氛的响应研究

摘要：

在CH4,H2,SiH4混合气体中用热丝化学气相沉积(HFCVD)法生长SiC薄膜.利用XRD、原子力显微镜(AFM)对SiC薄膜的表面形貌和晶体结构进行测试分析,结果表明,薄膜的确是SiC,其厚度为310 nm.对该薄膜在较高温度(250℃)下进行气敏特性测试,发现其对乙醇、乙醚有较好的敏感特性.进一步研究表明,不同的薄膜制备工艺条件对薄膜的气敏特性有一定的影响,其中H2流量,掺杂(N2)浓度对薄膜气敏特性影响较大.

关键词：电子技术、SiC薄膜、制备、气敏特性、气氛浓度

所属期刊栏目：24

分类号：TP212;TQ127(自动化技术及设备)

资助基金：陕西省科研项目04JK256

在线出版日期：2005-10-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：36-38,41