衬底温度对反应磁控溅射制备AlN压电薄膜的影响

摘要：

采用反应磁控溅射法在Si(111)衬底上沉积了AlN薄膜.XRD分析表明,在5种温度下,AlN均以(100)面取向,衬底温度的提高有利于薄膜结晶性的改善,在600℃以上时AlN中Al-N0键断裂,仅出现(100)衍射峰.AFM分析显示,在600℃时平均晶粒尺寸90nm,Z轴最高突起仅为23 nm.

关键词：无机非金属材料、AlN压电薄膜、反应磁控溅射、择优取向

所属期刊栏目：24

分类号：TM28(电工材料)

资助基金：贵州省自然科学基金黔科合计20043028号

在线出版日期：2005-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：47-49