SiO2掺杂对PMS-PZT陶瓷结构和电性能的影响
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1001-2028.2005.07.010

SiO2掺杂对PMS-PZT陶瓷结构和电性能的影响

引用
对Pb0.98Sr0.02(Mni/3Sb2/3)0.1Zr0.47Ti0.43O3(简称PMS-PZT)+w(SiO2)(0≤w≤0.6%)三元系压电陶瓷材料的微观结构和电性能进行了研究.XRD图谱表明室温下该材料为钙钛矿结构,并随SiO2掺杂物的加入材料由四方相向三方相转变.实验结果表明:当w(SiO2)为0.1%时,在1 300℃,1 h条件下烧结,能获得较好的综合性能:εr为1642,tgδ为0.004 3,kp为0.57,Qm为1 553,d33为325 pC·N-1,可以满足压电电动机和压电变压器等高功率应用方面的要求.

无机非金属材料、锰锑-锆-钛酸铅、压电陶瓷、二氧化硅掺杂、压电性能

24

TM28(电工材料)

2005-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

35-37

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

电子元件与材料

1001-2028

51-1241/TN

24

2005,24(7)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn