氮掺杂对a-C:F薄膜表面形貌和键结构的影响

摘要：

用射频等离子体增强化学气相沉积设备制备了氮掺杂a-C:F(氟化非晶碳)薄膜,研究了不同氮源流量比对薄膜表面形貌和键结构的影响.AFM观察结果发现:随氮流量的增加,薄膜表面粗糙度降低,颗粒粒径变小,薄膜更加均匀致密.Raman光谱分析表明:氮源流量的增加会引起薄膜内sp2键态含量增加,即芳香环式结构比例上升,当r(N2/(CF4+CH4+N2))为68%时,ID/IG由未掺N2时的1.591增至4.847,薄膜的热稳定性增强.

关键词：无机非金属材料、a-C:F薄膜、氮掺杂、表面形貌、结构

所属期刊栏目：24

分类号：TM21(电工材料)

在线出版日期：2005-07-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：42-43,46