Zn掺杂n型硅材料的补偿研究

摘要：

为了获得不同补偿度的硅材料,采用高温气相扩散的方法,在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到各种电阻率(在25℃下)的补偿硅.实验表明,对具有不同初始电阻率的硅材料,扩散后电阻率随扩散温度和杂质投入量的不同都有较大变化,而且随杂质投入量的增加,电阻率都有一个急剧变化的转折点.

关键词：电子技术、深能级杂质、反型、固溶度、亨利定律、电离

所属期刊栏目：24

分类号：TN305(半导体技术)

资助基金：新疆乌鲁木齐市科技攻关项目G041202;中国科学院"西部之光"人才培养计划

在线出版日期：2005-07-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：24-26