p型单晶硅涂源掺锰新方法

摘要：

研究了扩散源的浓度与掺杂后硅材料补偿度之间的关系.以MnCl2·4H2O乙醇溶液为扩散源,涂在初始电阻率为3.8 Ω·cm的p型单晶硅片表面,在高温(1 200℃)下掺杂锰后,在室温避光条件下,用SDY-5型双电测四探针仪测样品电阻率ρ.改变扩散源的浓度重复实验,用XRD对扩散后的样品进行分析,结果表明:当硅片表面浓度为23.4×10-8 mol/cm2时,扩散后样品体电阻率的径向不均匀度在5%以内,扩散后硅片的补偿度最大.

关键词：电子技术、扩散源、补偿度、固相反应、锰硅化物

所属期刊栏目：24

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家外专局资助项目20036500065;中国科学院"西部之光"人才培养计划

在线出版日期：2005-07-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：21-23