10.3969/j.issn.1001-2028.2005.06.004
MoO3掺杂对BiNbO4陶瓷微波介电性能的影响
采用固相反应法,研究了MoO3掺杂对BiNbO4 陶瓷微结构、烧结特性和微波介电性能的影响.对相对介电常数εr和品质因数Q随烧结温度的变化以及谐振频率温度系数随MoO3掺杂量的变化也进行了研究.MoO3的掺杂量x低于0.05时,实现了BiNbO4陶瓷在970℃以下的低温烧结,并且相转变温度也降低了约60℃.通过对εr以及介质损耗随温度的变化特性的研究,证实了缺陷偶极子对材料介电性能的影响.
无机非金属材料、微波介质陶瓷、介电性能、掺杂、缺陷偶极子
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TM28;TN61(电工材料)
国家高技术研究发展计划863计划2001AA325110;国家重点基础研究发展计划973计划2002CB613302;上海市学科建设项目
2005-07-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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