PLD法生长硅基ZnO薄膜的特性

摘要：

用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜.XRD在2θ为34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽仅0.85°;傅里叶红外吸收(FTIR)在413.08cm-1附近出现了对应Zn-O键的红外光谱的特征吸收峰;光致发光(PL)测量发现了位于330,368,417和467nm处的室温光致发光峰;SEM和TEM显示了薄膜的表面形貌以及结晶程度.ZnO单晶薄膜具有c轴取向高度一致的六方纤锌矿结构.

关键词：半导体技术、ZnO薄膜、PLD、六方纤锌矿结构

所属期刊栏目：24

分类号：TN604(电子元件、组件)

资助基金：国家自然科学基金90301002,90201025

在线出版日期：2005-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：24-26