退火条件对FeSiCoB薄膜应力阻抗效应的影响

摘要：

为了提高FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜的磁弹性能,利用磁控溅射方法在玻璃基片上沉积制备薄膜样品,并在真空中退火.测试了不同温度退火后,薄膜样品的应力阻抗效应.结果表明,退火处理条件对薄膜的应力阻抗效应有较大的影响.在6.4kA·m-1磁场下,薄膜经300℃、40min退火处理后,单层FeCoSiB和多层FeCoSiB/Cu/FeCoSiB的应力阻抗效应分别为1.86%和8.30%.

关键词：电子技术、磁弹性薄膜、多层膜、应力阻抗、磁控溅射、退火处理

所属期刊栏目：24

分类号：TB303;TG156.2(工程材料学)

资助基金：国防预研基金41312040503

在线出版日期：2005-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：5-7