10.3969/j.issn.1001-2028.2005.05.002
退火条件对FeSiCoB薄膜应力阻抗效应的影响
为了提高FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜的磁弹性能,利用磁控溅射方法在玻璃基片上沉积制备薄膜样品,并在真空中退火.测试了不同温度退火后,薄膜样品的应力阻抗效应.结果表明,退火处理条件对薄膜的应力阻抗效应有较大的影响.在6.4kA·m-1磁场下,薄膜经300℃、40min退火处理后,单层FeCoSiB和多层FeCoSiB/Cu/FeCoSiB的应力阻抗效应分别为1.86%和8.30%.
电子技术、磁弹性薄膜、多层膜、应力阻抗、磁控溅射、退火处理
24
TB303;TG156.2(工程材料学)
国防预研基金41312040503
2005-06-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
5-7