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10.3969/j.issn.1001-2028.2005.04.012

BT基Y5V高压电容瓷织构对抗电强度的影响

引用
在研制BaTiO3(BT)基Y5V高压电容器瓷料基础上,对不同配方的试样进行交流高压试验,SEM显微结构分析结果显示,当试样晶粒较小时(3~10 μm),抗电强度较高(≥4.3 MV/m),强交流电场引起的晶粒应力、应变不足以导致晶粒击穿;而晶粒较粗时(≥20 μm),其应力、应变导致抗电强度明显降低.瓷体中次相对强交流电场有缓冲作用,随含量增加而抗电强度提高,但介电常数降低.在此基础上探讨了瓷体织构对抗电强度影响机制.

无机非金属材料、钛酸钡、高压电容器、晶粒、次相

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TM28(电工材料)

2005-04-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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1001-2028

51-1241/TN

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2005,24(4)

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