10.3969/j.issn.1001-2028.2005.04.007
LBL法制备Cu3SbS4薄膜
针对水溶液化学沉积法沉积过程复杂且难于控制的缺点,利用LBL (layer-by-layer)法,在玻璃基片上制备出了Cu3SbS4薄膜.即首先在玻璃基片上沉积Sb2S3薄膜,然后再在其上制备CuS薄膜,最后进行退火处理.探讨了薄膜的制备机理、生长速度、结构特性和光学特性.制备的薄膜为多晶Cu3SbS4(四方晶系)结构,厚度为344 nm,直接光学带隙约为0.47 eV.
复合材料、Cu3SbS4薄膜、LBL (layer-by-layer)法、结构特性、光学特性
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TN304.2+6;TN304.2+5(半导体技术)
国家自然科学基金50172061
2005-04-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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