快速热退火前后ZnO及ZnO/Al薄膜性质的研究

摘要：

鉴于直流反应溅射制ZAO膜对反应条件敏感,研究发现,经快速热退火(RTA)处理能放宽对反应条件的要求.实验中ZnO及 ZnO/Al薄膜用直流反应磁控溅射法制备.选用金属Zn及金属合金Zn/Al靶.经快速热退火(RTA)后,通过XRD,UV-VIS-NIR分光光度计、四探针测方电阻等,研究了经不同温度RTA后ZnO及ZnO/Al薄膜的结晶状况、方电阻、电阻率、可见光透过率等的变化.对传统热退火和RTA进行了比较:经RTA 600℃后电阻率减小5～9个数量级,达1×10-3Ω·cm.

关键词：无机非金属材料、直流反应磁控溅射、快速热退火(RTA)、传统热退火

所属期刊栏目：24

分类号：TN304.2+1(半导体技术)

资助基金：河南省科技厅科技攻关项目0424210016

在线出版日期：2005-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：20-23,24