紫外光照下ZnO基薄膜的光电和气敏特性研究

摘要：

用sol-gel法制备ZnO及掺杂Al3+的ZnO半导体薄膜,利用XRD和AFM对薄膜结构和形貌进行表征.测量了不同掺Al量的薄膜在紫外光照射下电阻的变化,发现随着掺Al量的增大,薄膜在紫外光(波长为365 nm)照射后其电阻先减小后增大.在室温下,对薄膜在不同浓度的CO气体下的敏感特性进行了研究,随着气体浓度的增加,薄膜电阻值逐渐减小;随着掺Al量的增大,气敏灵敏性先逐渐增大后减小,发现当铝含量为r(Al:ZnO)=0.5%时,对CO气体的灵敏度最大,并对紫外光照射下气敏半导体薄膜的气敏机理进行了简单分析.

关键词：电子技术、氧化锌基薄膜、溶胶—凝胶法、紫外光、气敏性能

所属期刊栏目：24

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金50372040

在线出版日期：2005-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：13-15