热氧化法制备ZnO薄膜及其特性研究

摘要：

用热氧化金属Zn膜的方法在Si(111)衬底上制备ZnO薄膜.X射线衍射结果表明,500℃氧化的样品的结晶性能最好.随氧化温度的升高,薄膜内的应力方向在450～500℃之间发生转变,从沿c轴的张应力变为压应力.500℃氧化的样品的室温光致发光(PL)谱中,紫外峰的半高宽为94.8 meV,其强度与深能级发射强度之比高达162.氧化温度超过700℃后,样品的PL谱以深能级发射为主,对此现象产生的原因进行了讨论.

关键词：半导体材料、ZnO薄膜、热氧化、X射线衍射、光致发光

所属期刊栏目：24

分类号：TN304.2+1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60377005;辽宁省科技计划20022133

在线出版日期：2005-03-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：40-43