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10.3969/j.issn.1001-2028.2005.02.006

烧结工艺对纳米SrTiO3陶瓷介电性能的影响

引用
采用sol-gel方法制备SrTiO3陶瓷粉体,利用TG-DTA分析SrTiO3干凝胶粉的分解、化合反应,初步确定了SrTiO3陶瓷预烧和烧结温度,采用SEM研究了SrTiO3陶瓷的内部结构,重点探讨了不同烧结制度对SrTiO3陶瓷介电性能的影响.研究表明,当采用在空气气氛下以5 ℃/min的升温速率直接升温至1 000℃,保温0.5 h,再降温至750℃保温0.5 h后随炉冷却的烧结工艺,SrTiO3陶瓷纯度高,致密性好,晶粒粒径小于100 nm,且具有良好的介电性能,低频下相对介电常数高达3 000左右.

无机非金属材料、钛酸锶陶瓷、烧结工艺、介电性能

24

TM22(电工材料)

上海市学科建设项目;上海市微纳科技有限公司资助项目

2005-03-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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电子元件与材料

1001-2028

51-1241/TN

24

2005,24(2)

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