硅纳米线纳米电子器件及其制备技术

摘要：

硅纳米线由于特殊的光学及电学性能如量子限制效应及库仑阻塞效应等,在纳米电子器件的应用方面具有潜在的发展前景.介绍了采用电子束蚀刻技术(EB)、反应性离子蚀刻技术(RIE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等制备技术及场效应晶体管、单电子探测器及存储器、双方向电子泵及双重门电路等硅纳米线纳米电子器件的最新进展情况,并对其发展前景作了展望.

关键词：电子技术、硅纳米线、综述、纳米电子器件、制备、性能

所属期刊栏目：23

分类号：TN304.1;TN305.3(半导体技术)

在线出版日期：2004-11-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：44-47