BST-MEMS移相器开关

摘要：

为了提高MEMS电容开关性能,介绍了移相器的一种新型结构--分布式电容周期性加载结构.分析发现移相器的相移度和单元可变电容的变化率有关.目前MEMS可变电容单元采用的介质基本上是氮化硅.BST薄膜作为一种性质优良的介电材料,其介电常数远大于氮化硅.从MEMS移相器开关性能的几个关键指标出发,探讨在MEMS移相器开关中,用BST薄膜代替氮化硅介质的可能性.

关键词：电子技术、BST、MEMS、移相器开关、氮化硅、分布式加载

所属期刊栏目：23

分类号：TN623(电子元件、组件)

资助基金：国防科技预研基金00J7.1.2.DZ01

在线出版日期：2004-11-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：20-22,26