10.3969/j.issn.1001-2028.2004.10.007
退火工艺对钛酸锶钡薄膜结构的影响
采用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电薄膜,在500~750℃之间对薄膜快速退火.XRD分析表明:500℃时BST薄膜开始晶化为ABO3型钙钛矿结构,温度越高结晶越完整,晶粒越大.理论计算表明,薄膜在低温退火后无择优取向,高温退火后在(111)、(210)晶面有择优取向.退火气氛、保温时间、循环次数等因素对薄膜晶粒大小无明显影响,但对表面粗糙度和结晶程度影响较大.
无机陶瓷材料、BST薄膜、退火、择优取向、RMS、XRD、AFM
23
TN384(半导体技术)
国家重点基础研究发展计划973计划
2004-11-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
17-19