射频功率对a-C:F薄膜沉积速率和结构的影响

摘要：

用射频等离子体增强型化学气相沉积法制备了a-C:F薄膜,并研究了射频功率对a-C:F薄膜沉积速率和结构的影响.用椭偏仪测量了薄膜的厚度,并用红外谱(FITR)结合Raman谱研究了其结构的变化.结果表明:薄膜沉积速率在10～14 nm/min之间,主要含有CFx和C=C键.随射频功率的升高,沉积速率先增大后减小,CF3的含量迅速减小,CF和CF2的含量略有增加,薄膜中r(F/C)呈下降的趋势.在较高功率下沉积的薄膜中出现了由sp2和sp3混合微晶结构.

关键词：电子技术、射频功率、a-C:F薄膜、沉积速率、结构

所属期刊栏目：23

分类号：TM21(电工材料)

在线出版日期：2004-11-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：14-16