10.3969/j.issn.1001-2028.2004.10.004
后处理工艺对PCT薄膜形貌与结构的影响
采用射频磁控溅射技术,利用快速退火工艺制备出了大面积(φ120 mm)表面光滑、连续、均匀的(Pb,Ca)TiO3(PCT)薄膜.原子力显微镜和X射线衍射分析结果表明,快速退火处理工艺较常规退火处理工艺具有晶化温度低、晶化时间短、薄膜结晶性能好、易与微电子工艺兼容等优点.经500~550℃快速退火处理后,PCT薄膜已完全形成钙钛矿结构,最佳晶化温度约为550℃.
无机非金属材料、PCT薄膜、射频磁控溅射、退火
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TM22(电工材料)
国家重点基础研究发展计划973计划
2004-11-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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