后处理工艺对PCT薄膜形貌与结构的影响
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1001-2028.2004.10.004

后处理工艺对PCT薄膜形貌与结构的影响

引用
采用射频磁控溅射技术,利用快速退火工艺制备出了大面积(φ120 mm)表面光滑、连续、均匀的(Pb,Ca)TiO3(PCT)薄膜.原子力显微镜和X射线衍射分析结果表明,快速退火处理工艺较常规退火处理工艺具有晶化温度低、晶化时间短、薄膜结晶性能好、易与微电子工艺兼容等优点.经500~550℃快速退火处理后,PCT薄膜已完全形成钙钛矿结构,最佳晶化温度约为550℃.

无机非金属材料、PCT薄膜、射频磁控溅射、退火

23

TM22(电工材料)

国家重点基础研究发展计划973计划

2004-11-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

9-11

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

电子元件与材料

1001-2028

51-1241/TN

23

2004,23(10)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn