10.3969/j.issn.1001-2028.2004.08.004
烧结工艺对PSN-PZN-PMS-PZT瓷性能的影响
采用二次合成工艺得到了Pb(Sn1/3Nb2/3)0.03(Zn1/3Nb2/3)0.03(Mn1/3Sb2/3)0.04Zr0.435Ti0.465O3(PSN-PZN-PMS-PZT)五元系压电陶瓷.分析讨论了压电陶瓷的烧结温度与体密度、气孔率、晶粒大小及介电、压电性能的关系.并研究升温速度,保温时间对介电、压电性能的影响.结果表明,升温速度过快时材料致密性下降;烧结温度1 260℃保温3 h,得到一种综合性能优良的压电材料.其主要参数:εr为1 390,d33为300 pC/N,kp为55.1%,Qm为1 180,tgδ为0.30×10-2.
无机陶瓷材料、(PSN-PZN-PMS-PZT)压电陶瓷、二次合成工艺、烧结温度、升温速度、保温时间
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TM282(电工材料)
教育部重点实验室基金
2004-09-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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