退火温度对碳注入外延硅蓝光发射特性的影响

摘要：

获得了不同退火温度注碳外延硅的蓝光发射谱,分析了退火温度对其蓝光发射特性的影响,发现退火温度为1 000℃样品具有最强的发射强度.认为经碳注入所引入的杂质C = O复合体是发光的重要因素;经碳注入氮气氛中退火及电化学腐蚀处理形成纳米硅镶嵌结构,因量子限制效应–表面复合效应而发光.

关键词：注碳外延硅、蓝光发射、纳米硅镶嵌结构、氮气氛中退火

所属期刊栏目：23

分类号：TN304.24 (半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60071006

在线出版日期：2004-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：46-47,50