衬底温度和溅射偏压对ZnO:Al透明导电膜结构和光电特性的影响

摘要：

利用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底和7059玻璃衬底上制备出了具有良好附着性的低电阻率的ZnO:Al透明导电膜.研究了薄膜的结构和光电特性与衬底温度的关系,薄膜为多晶纤锌矿结构,垂直于衬底的c轴具有[002]方向的择优取向,薄膜的最低电阻率分别为1.01×10-3Ω·cm和8.48×10-4Ω·cm,在可见光区的平均透过率分别达到了72%和85%.并研究了溅射偏压对有机衬底ZnO:Al薄膜结构及光电特性影响,最佳负偏压为60 V.

关键词：ZnO:Al薄膜、衬底温度、溅射偏压、膜结构、光电性质

所属期刊栏目：23

分类号：TN305 (半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60176021

在线出版日期：2004-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：31-34