应用于MEMS的多孔硅的制备方法研究

摘要：

采用化学腐蚀法、单槽电化学腐蚀法和双槽电化学腐蚀法来进行多孔硅的制备,通过对比这三种方法所制备多孔硅的表面形貌特征,发现双槽电化学腐蚀法与其它两种方法相比,具有孔径尺寸小(可达5～10 am)、均匀性好、腐蚀深度大(可达几百nm)等优点,其制备的多孔硅更符合在MEMS中应用的要求.最后对双槽电化学腐蚀法中腐蚀时间及电流密度对腐蚀速率的影响进行了研究.

关键词：多孔硅、MEMS、制备方法、双槽电化学腐蚀法

所属期刊栏目：23

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金60071027,60371030

在线出版日期：2004-07-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：32-34