10.3969/j.issn.1001-2028.2004.06.009
掺锰对不同导电类型硅材料热敏特性的影响
采用电阻率为5 Ω·cm的p型单晶硅和n型单晶硅,通过高温扩散金属锰的方法,可得到两种类型的热敏材料.测试发现,选择适当的扩散温度和时间,这两种类型的热敏材料一致性都较好.对n型硅掺锰,得到的是小正温度系数热敏材料,其8值在620 K左右;对p硅掺锰,得到的是负温度系数热敏材料,其B值在4 200~4300K之间.
掺锰、热敏特性、正温度系数、负温度系数
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TN304(半导体技术)
国家外国专家局科研项目20036500065;中国科学院"西部之光"人才培养计划
2004-07-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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