TiO2掺杂导致的SnO2压敏陶瓷晶粒尺寸效应

摘要：

研究了TiO2掺杂对SnO2-Co2O3-Nb2O5系压敏陶瓷材料电学性能的影响.掺入x(TiO2)为1.00%的陶瓷样品具有最高的密度(p=6.82 g/cm3),最高的视在势垒电场(EB=476 V/mm),最高的非线性系数(α=11.0),最小的相对介电常数.未掺杂的样品阻抗最大.随TiO2掺杂量的增加晶粒逐渐变小,晶粒尺寸的减小归因于未固溶于SnO2晶格而偏析在晶界上的TiO2阻碍相邻SnO2晶粒融合.为了解释SnO2-Co2O3-Nb2O5-TiO2系电学非线性性质的根源,对前人的晶界缺陷势垒模型进行了修正.

关键词：压敏材料、二氧化锡、电学性能、晶粒尺寸、缺陷势垒模型

所属期刊栏目：23

分类号：TN304.43(半导体技术)

资助基金：山东省自然科学基金Z2003F04

在线出版日期：2004-07-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：20-22,27