纳米ZnO掺杂对压敏阀片电性能和组织的影响

摘要：

研究了纳米级ZnO粉料对压敏阀片的压敏电压、漏电流和压比的影响,并对其微观结构进行了分析研究,从理论上探讨了纳米ZnO影响压敏阀片电性能与微观结构的机理.研究结果表明,氧化锌压敏阀片中加入纳米ZnO后,其压敏电压显著提高.在质量分数为0～30%的范围内,随着纳米ZnO含量的增加,压敏阀片的压敏电压明显提高,其压比也呈升高趋势.当纳米ZnO含量为30%时,压敏电压约达547.54 V/mm,压比为1.149.在0～10%的范围内,随着纳米ZnO含量的增加,压敏阀片的漏电流呈下降趋势,而在10%～30%的时,漏电流又随纳米ZnO的含量的增加而升高.当纳米ZnO的含量为10%时,漏电流最小,为0.6μA.

关键词：压敏阀片、纳米ZnO、电性能、微观结构

所属期刊栏目：23

分类号：TM283(电工材料)

在线出版日期：2004-05-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：33-35