高补偿硅的阻–温特性

摘要：

采用5Ω·cm的p型单晶硅,通过在高温下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿硅.笔者选择没有光照下,室温电阻率为5.84×104Ω·cm的样品,进行测量电阻随温度的变化关系(温度从77 K上升到300 K).测试结果表明:在没有光照条件下测试时,电阻随温度的变化同普通的半导体;但在受到光照时,却出现极不相同的情况,这种不同,可能来自所掺杂的硅是一种光敏材料及掺入的杂质是一种深能级杂质.

关键词：高补偿硅、光敏、深能级

所属期刊栏目：23

分类号：TN304.1+2(半导体技术)

资助基金：国家外国专家局科研项目20036500065;中国科学院"西部之光"人才培养计划

在线出版日期：2004-05-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：19-21