10.3969/j.issn.1001-2028.2004.03.015
掺杂比与热处理温度对锑锡氧化物结构和导电性能的影响
采用水热法制备锑锡氧化物(ATO)粉体,运用差热–热重分析(DTA-TGA)、X射线衍射(XRD)等测试手段对粉体进行了表征.研究了掺杂比、热处理温度等工艺条件对ATO粉体结构和导电性能的影响.实验结果显示:粉体仍为四方相的金红石结构;锑锡掺杂比(摩尔比)为11%时达到最佳导电性能,随掺杂量增加,粉体晶粒度变小;随热处理温度升高,电阻值降低,粉体晶粒度变大.
锑锡氧化物、水热合成、掺杂比、热处理温度、晶粒粒度、导电性能
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TQ174.758
科技部科技型中小企业技术创新项目00C26213310610
2004-04-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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