氧退火对钛酸锶钡薄膜介电常数的影响

摘要：

采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺,在SiO2/Si衬底上淀积钛酸锶钡 (Ba1-xSrxTiO3)薄膜,研究在氧气氛中不同温度和时间的退火对薄膜的介电常数的影响.实验结果表明,在退火温度为600℃时,随着氧退火时间的增加,钛酸锶钡薄膜的相对介电常数减小;而在退火时间为30 min时,随着退火温度的增加,钛酸锶钡薄膜的相对介电常数增加.微观结构分析和极化理论解释了这一现象.

关键词：MIOS结构、C-V特性、介电常数、退火

所属期刊栏目：23

分类号：TN432 (微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：教育部留学回国人员科研启动基金;华南理工大学校科研和教改项目

在线出版日期：2004-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：37-38,42