低温生长SiC薄膜衬底碳化研究

摘要：

讨论了在用热丝化学汽相沉积(HFCVD)法沿Si(111)晶面异质生长SiC薄膜的过程中衬底碳化工艺对SiC成膜的影响.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射谱(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和俄歇电子能谱(AES)等分析手段,对衬底碳化进行研究.并对典型工艺条件(钨丝温度2 000℃,衬底温度800℃,衬底碳化时间5 min)下制备的样品的碳化层进行分析,得出其厚度约为20 nm,由富C的3C-SiC层,3C-SiC层和含C的Si层组成.

关键词：碳化硅、薄膜、碳化

所属期刊栏目：23

分类号：TN304.055 (半导体技术)

资助基金：西北大学校科研和教改项目98NW14E

在线出版日期：2004-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：34-36