半导体芯片银凸点微电极生长技术

摘要：

银点微电极生长技术主要用于ISS181系列高压超高速开关二极管的电极成型,是一项制约ISS181封装国产化的瓶颈技术.该项目研究采用了自主开发的流动独立供液、独立供电,整体控制工艺,用于100 mm芯片电极成型,保证银凸点微电极高度40 μm,误差±15%.做到微区银点生长有效控制,大面积一致性好.在流量8 L/min,电压6.5 V,占空比10%的条件下,得到了最佳结果.

关键词：高速开关二极管、微电极、电化学沉积

所属期刊栏目：23

分类号：TN405 (微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2004-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：32-33,36