高补偿硅的光敏感特性

摘要：

对电阻率为5 Ω·cm的p型单晶硅,在高温条件下采用扩散金属锰的方法,得到高补偿硅.并在室温(25℃)和液氮温度(-196℃)下,测试了这种高补偿硅材料对光强的敏感性.测试结果表明:这种材料是一种光敏感材料,其敏感性受外加的电压、样品的温度及补偿后样品的电阻率影响.

关键词：p型单晶硅、掺杂锰、高补偿硅、光敏感特性

所属期刊栏目：23

分类号：TN304 (半导体技术)

资助基金：国家外国专家局科研项目20036500065;中国科学院"西部之光"人才培养计划

在线出版日期：2004-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：20-22