n-ZnO/p-Si异质结UV增强型光电探测器的研究

摘要：

采用平面工艺,在p+-Si背底上电子束蒸发Al制作欧姆电极,在p-Si外延层上溅射掺Al的 ZnO薄膜,再蒸发Al作有源区欧姆电极,研制成n-ZnO/p-Si异质结UV(ultraviolet)增强型光电探测器.测试结果表明:器件明显增强了200～400 nm紫外光的响应,同时保持了传统的Si探测器对波长大于400 nm波段的光谱响应,在330,420,468、525 nm附近有四个明显的光谱峰值响应.器件光致发光谱(PL)在371 nm处有发光峰值.

关键词：氧化锌、UV增强型探测、异质结、宽禁带

所属期刊栏目：23

分类号：TN32(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金90201038;中国科学院知识创新工程项目KJCX2-SW-04

在线出版日期：2004-02-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：42-44