低温异质生长SiC薄膜预处理工艺研究

摘要：

讨论了在热丝化学汽相沉积(HFCVD)法沿Si(111)晶面异质生长SiC薄膜的过程中,预处理工艺对SiC成膜的影响.采用硅烷、甲烷作为反应气源,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微分析(SEM)等分析手段,进行预处理工艺的研究.获得了在低温下700~800℃制备高质量SiC薄膜的预处理工艺参数:热丝碳化温度2 000℃;HF酸蚀30 s;H2刻蚀10 min.

关键词：碳化硅、薄膜、预处理

所属期刊栏目：22

分类号：TN304.055 (半导体技术)

资助基金：西北大学校科研和教改项目98NW14E

在线出版日期：2004-01-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：39-41