烧结气氛对CuO添加BiNbO4陶瓷
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1001-2028.2003.12.003

烧结气氛对CuO添加BiNbO4陶瓷

引用
对不同CuO添加量的BiNbO4陶瓷做了大气和N2气氛烧结研究.结果表明BiNbO4陶瓷对低氧分压气氛非常敏感.BiNbO4在高纯N2气氛下烧结产生大量的空位缺陷致使表观密度发生变化,这种空位缺陷多少与CuO加入量没有明显关系.但添加CuO降低了烧结温度,这种作用在N2条件下表现更为明显,出现了二次结晶现象.N2气氛条件下烧结的陶瓷微波性能没有显著恶化,对系列CuO添加的BiNbO4陶瓷介电常数,品质因数和介电常数温度系数随烧结气氛不同的变化分别作了介绍.

铌酸铋、微波介质陶瓷、气氛烧结、缺陷、氧空位

22

TM28 (电工材料)

国家高技术研究发展计划863计划2001AA325110;国家重点基础研究发展计划973计划2002CB613302;上海市学科科研项目

2004-01-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

7-9

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

电子元件与材料

1001-2028

51-1241/TN

22

2003,22(12)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn