SiH4-NH3-N2体系LPCVD氮化硅薄膜的生长动力学

摘要：

以硅烷和氨气分别作为低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅(SiNx)薄膜的硅源和氮源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中,借助椭圆偏振仪和原子力显微镜,系统考察了工作压力、反应温度、气体原料组成等因素对SiNx薄膜沉积速率和表面形貌的影响.结果表明:SiNx薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增加,随着原料气中氨气与硅烷的流量之比的增大单调减小.随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低.在适当的工艺条件下,制备的SiNx薄膜均匀、平整.较低的薄膜沉积速率有助于提高薄膜的均匀性,降低薄膜的表面粗糙度.

关键词：LPCVD、氮化硅薄膜、沉积速率、表面形貌

所属期刊栏目：22

分类号：TB43 (工业通用技术与设备)

资助基金：上海市科技发展基金00JC14015

在线出版日期：2003-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：35-37