MCM用氮化铝共烧多层陶瓷基板的研究

摘要：

通过实验优化AlN(氮化铝)瓷料配方及排胶工艺,对共烧W(钨)导体浆料性能及AlN多层基板的高温共烧工艺进行了研究,并对AlN多层基板的界面进行了扫描电镜分析.采用AlN流延生瓷片与W高温共烧的方法,成功地制备出了高热导率的AlN多层陶瓷基板,其热导率为190 W/(m@K),线膨胀系数为4.6×10-6℃-1(RT~400℃),布线层数9层,W导体方阻为9.8 mΩ,翘曲度为0.01 mm/50 mm,完全满足高功率MCM的使用要求.

关键词：氮化铝、共烧工艺、多层基板

所属期刊栏目：22

分类号：TN42;TM281 (微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2003-08-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：25-28