10.3969/j.issn.1001-2028.2003.08.002
一维光子晶体禁带反射率随结构的变化
用特征矩阵方法得出了一维光子晶体的反射率计算公式,以λ/4波片堆为例,计算了当两种介质采用不同折射率的物质时,在第一光子禁带TE波及TM波的反射率随入射角的变化.结果显示,TE波与TM波的情况不完全相同.总的来说,增大两种介质折射率的差别,或者同时提高两种介质的折射率,或者增加周期数都有利于制造出具有完全光子禁带的一维光子晶体.
一维光子晶体、禁带、反射率、结构
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O472+.8 (半导体物理学)
陕西省自然科学基金2001SL01
2003-08-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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