单片化低压低功耗Si CMOS 运算放大器的实现

摘要：

基于新型的折叠共栅共源PMOS差分输入级拓扑、轨至轨AB类低压CMOS推挽输出级模型、低压低功耗LV/LP技术特别考虑和EDA平台的实验设计与模拟仿真,并设计配置了先进的Si 2μm P阱硅栅CMOS集成工艺技术.已经得到一种具有VT = ±0.7 V、电源电压1.1～1.5 V、静态功耗典型值330 μW、75 dB开环增益和945 kHz单位增益带宽的LV/LP运算放大器.该运放可应用于ULSI库单元和诸多相关技术领域,其实践有助于Si CMOS低压低功耗集成电路技术的进一步开发与交流.

关键词：低压低功耗电路、运算放大器、AB类输出级结构

所属期刊栏目：22

分类号：TN43 (微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金60072004

在线出版日期：2003-08-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1-3