SiH4-NH3-N2体系LPCVD氮化硅薄膜的研究

摘要：

通过傅立叶红外光谱(FTIR)和X光电子能谱(XPS)研究了SiH4-NH3-N2体系在不同气体原料比情况下,低压化学气相沉积(LPCVD)SiNx薄膜的化学组成,利用原子力显微镜观察了SiNx薄膜的微观形貌,借助椭圆偏振仪研究了薄膜的折射率.结果表明:当原料气中氨气与硅烷的流量之比(R)较小时(R<2),获得富Si的SiNx薄膜(x<1.33),折射率较高.当氨气远远过量时(R >4),获得近化学计量的的SiNx薄膜(x = 1.33),折射率处于1.95～2.00之间.在适当的工艺条件下,获得的SiNx薄膜H、O含量很低,薄膜表面均匀、平整.

关键词：低压化学气相沉积、氮化硅薄膜、化学组成、折射率

所属期刊栏目：22

分类号：TB43 (工业通用技术与设备)

资助基金：上海市科技发展基金00JC14015

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：14-16