VLSI用低介电常数含氟碳膜研究

摘要：

用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备了不同工艺条件下的含氟碳膜.测量了薄膜的厚度和介电常数,并用傅立叶红外光谱分析了薄膜化学结构,发现薄膜成分和介电性与沉积工艺密切相关,对薄膜的SEM分析表明所得薄膜均匀致密.控制适当的工艺条件,可沉积理想的超大规模集成电路(VLSI)用钝化膜.

关键词：PECVD、沉积速率、含氟碳膜、介电常数

所属期刊栏目：22

分类号：TM215.3(电工材料)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：28-29，32