聚酰亚胺衬底掺Sb的SnO2透明导电膜的制备

摘要：

用射频磁控溅射法在聚酰亚胺衬底上制备出了相对透过率为80%左右、最小电阻率为3.7′10-3 W@cm、附着良好的SnO2∶Sb透明导电膜. 靶材中Sb2O3的最佳掺杂量为6%(质量分数),最佳溅射压强为1 Pa(90%Ar+10%O2).制备的样品为多晶薄膜,并且保持了二氧化锡的金红石结构,具有明显的[110]的趋向.并讨论了薄膜的结构和光电特性随衬底温度的变化.

关键词：掺锑二氧化锡、光电特性、射频磁控溅射

所属期刊栏目：21

分类号：O471.1 (半导体物理学)

资助基金：山东省计委科技攻关项目鲁计投资[字]1997602

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：5-7