退火温度对PZT薄膜电容器性能的影响

摘要：

通过简单的溶胶–凝胶法和快速热处理工艺,获得了在Pt/Ti/SiO2/Si基片上生长良好的PZT薄膜.制膜工艺简单,不需要回流和高温去结晶水,即可获得(111)择优取向的PZT薄膜.PZT薄膜经快速热处理在550~650℃退火,薄膜致密和平滑,均具有良好的铁电和介电特性,其最佳退火温度为600℃.

关键词：锆钛酸铅薄膜、溶胶—凝胶法、退火温度、铁电特性、介电特性

所属期刊栏目：21

分类号：TN304.9;TM53 (半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金59995520

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：3-5