注F+加固CMOS/SOI材料的抗辐射研究

摘要：

向SIMOX材料的SiO2埋层或Si/SiO2界面注入170 keV F+,进而制成CMOS/SOI材料,采用60Co ( 辐射器辐照并测量材料的I-V特性.结果表明:向CMOS/SOI材料埋层注入F+离子,能提高CMOS/SOI材料的抗电离辐照性能.而且,注入F+的剂量为1(1015cm-2时,材料的抗辐照能力较强.这对制作应用于电离辐射环境的COMS/SOI器件极其有益.

关键词：CMOS/SOI材料、抗辐射、加固

所属期刊栏目：21

分类号：TN305.3(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：28-29