电子封装用SiCp/ZL101复合材料的制备工艺及热膨胀性能

摘要：

提出了制备电子封装用SiCp/ZL101复合材料渗透法新工艺.该工艺在空气气氛下,于850～950℃温度范围内,不用外加压力,通过助渗剂作用,使铝合金液自动地渗入SiC颗粒间孔隙中,从而形成电子封装用复合材料.并对其热膨胀性能进行了测试.

关键词：电子封装、金属基复合材料、热膨胀系数

所属期刊栏目：21

分类号：TN04(一般性问题)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：8-9