共沉淀法SnO2-WO3粉体的气敏性能研究

摘要：

采用化学共沉淀法制得不同掺杂量的SnO2-WO3粉体，探讨了掺杂量、热处理温度、元件工作温度与WO3气敏性能的关系。研究发现：SnO2的添加抑制了WO3晶粒的生长，提高了其气体灵敏度。其中以0.5%（质量分数）的掺杂量为最佳，可进行H2S气体的选择性检测。

关键词：三氧化钨、气体传感器、硫化氢、化学共沉淀法、半导体

所属期刊栏目：21

分类号：TQ174.75+8;TP212.2

资助基金：河南省杰出青年科学基金;河南省自然科学基金984042200，004030300

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：10-12